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德國原裝進口產(chǎn)品 及時 高效的托管采購!

  • 400-135-1288

產(chǎn)品介紹

 H0 系列包括一個硅或銦鎵砷雪崩光電二極管,帶有優(yōu)化的低噪聲混合前置放大器,可用于激光測距、激光雷達、分析應用。這些器件中使用的 Si-APD 有 SAR500、SAR1500 和用于 YAG 增強應用的 SAT800,在 400 nm 到 1100 nm 波長范圍內(nèi)具有響應性,在所有波長上都具有極快的上升和下降時間。對于 900 nm 到 1700 nm 的波長范圍,我們使用了InGaAs-APD IAG080 和 IAG200。

性能特點

  • 系統(tǒng)帶寬 DC- 100 MHz
  • 高靈敏度
  • 超低噪音
  • 光譜響應范圍
  • SiAPD:400 nm至 1100 nm
  • InGaAs-APD:900 nm至 1700 nm
  • 密封 TO-46 封裝
  • +/- 5 伏放大器工作電壓

產(chǎn)品結構與細節(jié)

所有接收器均可配備InGaAs-APD,因此可覆蓋 400 - 1100 和 1000 - 1650 nm 的波長范圍。

可選功能與配件

 InGaAs-APD 接收器(SAR500H0、SAR1500H0)

技術參數(shù)

產(chǎn)地:德國

存儲溫度:-55 ℃ 至 +100 ℃

工作溫度:-40 ℃ 至 +85 ℃

TIA 電源電壓(V):+/- 4(Min); +/- 5 ;+/- 6.5 (Max)

TIA 電源電流:30 mA

功率消耗:300 mW

焊接溫度(15 秒):260 °C

噪聲測量頻率:100 kHz

操作方式:脈沖操作

有效區(qū)域直徑:0.5 mm

波長范圍:400-1000 nm

峰值靈敏度:905 nm

帶寬:DC-20 MHz

響應度:

540 納米 1.35 MV/W

650 納米 2.00MV/W

905 納米 2.50MV/W

NEP:

540 納米 0.10  pW/rtHz

650 納米 0.06 pW/rtHz

905 納米 0.05 pW/rtHz

輸出噪聲密度:100 nV/rtHz

輸入?yún)⒖荚肼暶芏龋? pA/rtHz

輸出電壓擺幅(1 MΩ):3 V

輸出電壓擺幅 (50 o):1.5 V

輸出偏移電壓:25 mV

產(chǎn)品應用

光電測量、軍事、汽車領域、激光測距、激光雷達、分析應用


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