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CENTRALSEMI低 VCE(SAT)晶體管CMLT3820G TR

產(chǎn)品介紹

節(jié)省空間的SOT-563表面貼裝封裝,這種封裝形式使得CMLT3820G非常適合于尺寸受限的應(yīng)用場(chǎng)景?;パa(bǔ)PNP器件(CMLT7820G),這為用戶提供了在選擇和使用上的靈活性。

性能特點(diǎn)

  • 無(wú)鹵素設(shè)計(jì):CMLT3820G采用無(wú)鹵素設(shè)計(jì),這有助于減少對(duì)環(huán)境的影響,符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展的要求。
  • 大電流能力:該晶體管在IC=1.0A的條件下仍能正常工作,顯示出其強(qiáng)大的電流處理能力。這使得CMLT3820G在需要處理大電流的電路中具有顯著優(yōu)勢(shì)。
  • 低VCE(SAT):VCE(SAT)=0.28V max.@IC=1.0A,這是CMLT3820G的一個(gè)顯著特點(diǎn)。低VCE(SAT)意味著在晶體管飽和時(shí),集電極和發(fā)射極之間的電壓降較小,從而減少了功耗和熱量產(chǎn)生。這有助于提高電路的整體效率和穩(wěn)定性。

技術(shù)參數(shù)

產(chǎn)地:美國(guó)

集電極基極電壓:80 V

集電極-發(fā)射極電壓:60 V

發(fā)射極基極電壓:5.0 V

連續(xù)集電極電流:1.0 A

峰值集電極電流:2.0 A

連續(xù)基極電流:300mA

功耗:250 mW

工作溫度:-65至+150°C

存儲(chǔ)接面溫度:-65至+150°C

熱阻:500°C/W

產(chǎn)品應(yīng)用

DC/DC轉(zhuǎn)換器

電壓鉗位

保護(hù)電路

電池供電的手機(jī)、尋呼機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、PDA、筆記本電腦等


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